又一巨头,发力先进封装
长期以来,又一巨头三星在晶圆代工领域的发力封装发展屡屡遇挑战。尽管其在3纳米工艺上率先采用GAA全环绕栅极技术,先进试图超越台积电,又一巨头但因初期良率问题,发力封装市场份额受到影响。先进根据TrendForce数据,又一巨头2025年第一季度,发力封装台积电在全球代工市场的先进份额达到67.6%,而三星则从8.1%降至7.7%。又一巨头
在制程技术推进上,发力封装三星原计划于2027年量产的先进1.4纳米工艺于2025年6月宣布推迟至2029年,德州泰勒市的又一巨头晶圆厂开业时间也因客户不足延迟至2026年,反映出先进制程市场竞争的发力封装严峻。
在压力之下,先进三星开始向另一个关键领域进军——先进封装市场。这一领域近年来成为半导体行业的战略高地,三星计划通过加大对先进封装技术的投入来实现突破。
70亿美元建厂,三星抢滩美国先进封装市场空白
与特斯拉签署价值165亿美元的芯片代工合约后,三星宣布将在美国投资70亿美元建立一座先进封装工厂。这一举措引发行业广泛关注,标志着三星在美国市场的进一步布局与决心。
美国在设计与制造领域拥有强劲实力,但高级封装技术却相对滞后,市场缺乏2.5D/3D叠加、Chiplet集成等关键技术设施,成为三星布局的核心目标。该工厂将支持三星“设计-制造-封装”一体化的战略,并计划与德州晶圆厂协同工作,争取在台积电于2029年投产时抢占市场先机。
三星还与特斯拉的订单密切关联,显示出客户对本土化产能的迫切需求,加速推进从制造到封装的本地化进程。此外,三星通过先进封装技术希望打破台积电在AI芯片封装领域的主导地位,进一步提升其市场竞争力。
政策红利方面,美国《芯片与科学法案》的补贴与三星的投资计划高度契合,可能降低其投资风险。然而,在美国建厂会面临高昂的人力与能源成本,如何控制成本成为一大挑战。
三星横滨设先进封装研发中心
三星还计划在日本横滨投资250亿日元(约1.7亿美元)设立先进芯片封装研发中心,以提高其在此领域的技术实力。该中心预计于2027年启用,并将深化与日本半导体产业的协同,通过与当地企业和东京大学的技术合作,提升研发能力。
三星加码SoP技术,挑战台积电SoW封装霸权
三星正在推进面板级系统(SoP)技术的商业化,直接挑战台积电的晶圆级系统(SoW)技术,以争夺下一代AI芯片市场。SoP技术采用超大尺寸面板作为封装载体,降低成本、提升集成度,与特斯拉的芯片系统对接。
尽管台积电的SoW技术已经投入生产,三星若能突破SoP技术面临的挑战,便有机会进入更高效的市场。在此过程中,三星还推出了“3.3D”先进封装技术,以提高其封装效率和竞争力。
三星布局玻璃基板封装,2028年技术落地
三星计划于2028年将在半导体封装中引入玻璃基板,以取代传统硅中介层。这种新的中介层将有助于降低生产成本,提高芯片性能,且更易于实现超精细电路。
三星在技术上采取务实的验证策略,以小尺寸玻璃单元的开发迅速切入市场,这与行业对玻璃基板的期待相吻合。
布局Fan-Out PKG,移动AI芯片的关键支撑
三星的扇出型封装技术为移动AI芯片案提供了高性能、低功耗的解决方案,通过多维度的技术创新,提升了生产效率和散热能力,满足了移动设备的高要求。
三星SAINT技术:存储与逻辑协同封装的创新突破
三星推出的SAINT技术系统,涵盖多种针对性的3D堆叠方案,优化存储与逻辑芯片的协同封装。该技术的核心在于实现HBM内存与逻辑芯片的高效集成。
三星I-Cube与X-Cube先进封装技术
三星在2.5D和3D IC封装领域构建了I-Cube和X-Cube技术体系,面向不同的市场需求,提升芯片的集成度与性能。
写在最后
在晶圆代工业务面临压力的情况下,三星通过多维度布局冲击先进封装市场,努力借助技术研发、产能落地和生态协同来构建竞争优势。其在美国的投资策略以及横滨的研发中心,将为三星在全球半导体产业中赢得更多话语权。在面对竞争和技术挑战时,三星凭借其强大的资源整合能力,期待在未来实现更大的市场突破。
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